講述人：廣州第三代半導體創新中心執行主任 劉誌宏
【一線講述】
2019年，在新加坡求學和工作近15年後，我回到國內，加入西安電子科技大學郝躍院士領銜的寬禁帶半導體團隊。一年後，我來到中新廣州知識城，協助籌劃和建設西安電子科技大學廣州第三代半導體創新中心。
作為一種寬禁帶半導體材料，氮化镓在射頻、電力電子、光電子等應用領域比矽、砷化镓等材料具有明顯性能優勢，也是國際上半導體和集成電路產業的競爭熱點之一。西安電子大學的寬禁帶半導體團隊在這一領域有20餘年的研究經曆，在氮化镓的裝備、材料、器件到係統的基礎研究方麵取得了很多重要的成果，廣州第三代半導體創新中心承擔著氮化镓工程化技術的創新研究和產業化的重要任務，重點圍繞氮化镓射頻、電力電子器件，進行創新型技術研發和產業化。
矽基氮化镓射頻器件和集成電路兼具功率高、效率高、易集成、耐高溫、抗輻照和加工製造低成本的優點，在下一代移動通信終端、工業互聯網、車聯網、局域網等通信係統應用領域具有很大潛力，也是容易被“卡脖子”的關鍵技術之一。我們團隊在實驗室裏成功開發基於矽基氮化镓的微波、毫米波和太赫茲器件關鍵材料技術和工藝製備技術，獲得國際領先成果，正在轉移到廣州創新中心的中試線，進行小規模量產。
黨的二十大報告提出“深入實施科教興國戰略、人才強國戰略、創新驅動發展戰略”“加快實現高水平科技自立自強”，讓我十分振奮。作為一線科研工作者，今後我將繼續腳踏實地、砥礪奮進，為加快實現我國高水平科技自立自強貢獻力量。
（本報記者吳春燕、唐一歌采訪整理）
（光明日報 2023年05月04日）
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